第379章 PMOS（1/2）

不是我不一次性說完，而是我每說一句話，你都要打斷我發表一點兒什麼意見，利諾奇卡心想。

「煤油？煤油的熱值是要比酒精高，啊哈，難道這就是原因？」

部長同志這才有些釋然。

並不是他一定要找點什麼原因才能讓自己高興，而是這些情況單獨看起來都不算什麼，可是全部組合到一起，就多少有一些讓人驚訝了。

更大的射程，更大的戰鬥部，同等的尺寸和重量，這說明對方一定有什麼自己不知道的技術。

「部長同志，我們要不要試一試把P-15的酒精換成煤油？」

P-15，就是544飛彈。

「噢，不！基層的達瓦里氏們會抱怨的，至少現在的P-15不能換！他們已經習慣維護這種飛彈了，不是麼？」

不得不說，作為部長，還是非常體恤一線基層的同志的。

咱們正毛旗的兵，就愛維護酒精燃料！

「利諾奇卡同志，如果那邊還有什麼新的消息，一定要早一點告訴我。順便告訴盧比揚卡的同志，他們需要付出更多努力了！」部長同志總是覺得其中有哪裡不對，但是又不知道哪裡不對。

——

老毛子的糾結，高振東並不知道，他正在糾結自己的事情。

其實也不是糾結，只是在繁雜的工藝中選出一條合適的路來。

雖然已經選定了MOS技術，可是MOS技術也有PMOS（P溝道MOS）、NMOS（N溝道MOS）、CMOS（互補MOS）等等。

這些技術的每一道工序，又有不同的選擇。

就好像搭積木，要搭出一個公園來，有不同的搭法，正所謂殺豬殺屁股，各有各的殺法。

不過在MOS的種類上，高振東倒是沒什麼好糾結的，PMOS直接上就行了，作為最早的MOS技術，自然是有他的優點的。

猜猜它為什麼最早？簡單啊！

PMOS只需要五次光刻就能搞定。

P區光刻、柵光刻、接觸光刻、金屬光刻、壓焊塊光刻，並在每次光刻中間加上不同的澱積或者氧化工序。

分別形成P區、柵極、對外接觸孔、晶片內布線和封裝時用的引出焊點。

而且，其中掩膜需要嚴格對準套刻的，只有第二次柵光刻，其他時候的對準要求都不是那麼高，這就讓手上的技術條件有限，捉襟見肘的高振東感到很舒服。

拋開封裝，只是從矽片到布滿成品晶片核心（DIE）的半成品，只需要12步工藝，就這，還包括準備矽片那一步工藝。

甚至不想要鈍化那一步的話，只要前4次光刻就足夠了，與之相應的工藝也減少到了10步。

這是真的簡單，而且對材料的要求也不高。

只需要考慮引入三種元素。

——形成氧化保護層的氧、形成柵極的硼、還有形成金屬導線的鋁。

其中鋁都不用考慮摻雜擴散的問題，只是用於沉積。

某退休老頭：真是太好玩兒了.jpg。

而NMOS和CMOS的難度，可就比PMOS大多了，PMOS別的不說，至少做邏輯集成電路沒問題，而且，這玩意10μm的製程是能做C8008的，其實做更高的製程也沒問題。

選定了PMOS，高振東很快就把工藝路線給確定下來了。

不要最後一步鈍化，4次光刻，只到金屬光刻完成為止。

至於為什麼選這個，當然是因為簡單了，而且他一開始是做比較粗的製程的，這個程度也就夠了。

而且，少這一步，成本也會下降。

先把邏輯門電路拿出來，支撐住DJS-60D的生產，然後再去搞更好的。

先解決有沒有，再解決好不好。

選定了這些，抄起書來，那就快了，高振東花了一個下午飛快的把書抄完，第二天一個電話打給了已經有點兒望眼欲穿的1274廠。

一個多小時過後，呂廠長和魯總工帶著人聯袂而至，就等著這一天呢。

看著高振東給出的工藝設計指導文件，兩人有點懵，這玩意比起原來的，怎麼還變薄了？

先進技術，必定複雜，一旦複雜，那資料就會很厚，大家都這麼想。

「高總工，這工藝是先一部分一部分的做，這裡是前期我們要做的事情？」魯總工問道。

高振東一頭霧水，我什麼時候說過一部分一部分做了：「沒有啊，這裡就是全部了。」

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