第83章 時間緊迫，提前囤積零件（1/2）

經過了一晚上的休息，隔天一早，林天就迫不及待地親自前往龍芯國際操刀光掩膜版的生產製作。

陳星與曲程沒有急著離開魔都，而是共同前去觀摩。

他們都想看看，林天到底是不是那麼全能。

龍芯國際實驗室內，已經聚集了大批抱著學習態度，前來觀看的光刻工程師。

面對數十位光刻工程師組成的圍觀學習人群，林天也沒有半點怯場，眼神平靜且專注，與前一天吊兒郎當的樣子判若兩人，輕車熟路地開始了光掩膜版的初步製作。

光掩膜版的製作流程與晶片生產同理，同樣要經過圖形製作與轉換、曝光、顯影、蝕刻、脫模、清洗、缺陷檢查、缺陷修補、出貨清洗、貼膜十個主要步驟，但又與晶片生產不同。

晶片生產，光刻機曝光，而光掩膜版可不能依靠光刻機曝光，而是需要用到雷射/電子束直寫方式對Blankmask（光掩膜版材料）進行曝光。

當正性光刻膠被曝光後，化學結構發生變化，產生光酸，通過顯影液作用，被曝光的部分光刻膠溶解，而負性光刻膠被曝光部分結構交聯，生成不易溶穩定化學結構，再通過顯影液作用，曝光部分得以保留。

正所謂！

行家一出手，便知有沒有！

林天前面步驟完全正確，沒有半點外行的影子，而且過程行雲流水，絲毫沒有半點拖沓，像是一位經歷過上萬次光掩膜版製作的老手，一切都水到渠成。

這也讓高永明、唐鑫宇，以及一眾圍觀的光刻工程師們打心底佩服，懂光刻機，懂掩膜版，這簡直就是全能天才啊！

在等待第一次流片的蝕刻空隙，龍芯國際的副首席工程師唐鑫宇搓了搓手，再也忍不住請教了：「打擾一下林工，駐波效應你有什麼好辦法解決嗎？」

駐波效應，在光刻過程中，會有一部分光被反射回來，這個反射的光和原來的入射光頻率相同，會相互干涉，導致光阻層中光強度的分布不均，呈現出交替的亮暗區域，導致流片失敗。

如何有效削減駐波效應，一直是他們頭疼的問題。

林天移開鎖定在設備上的目光，淡淡說道：「使用TARC，BARC等抗反射層材料，或者進行加熱烘烤，用高溫促進光敏劑的擴散，一定程度上彌補了光強分布不均的問題，在顯影過程中可以得到更均勻的圖案剖面。」

聲音不大，卻傳遍實驗室。

龍芯國際的工程師沒有遲疑，立馬掏出記事本記錄。

別看這位「林工」年輕，他在光刻領域的成就與造詣，早已經遠超在場所有人。

然而。

就在這時。

趕了最近一班飛機，連夜飛回來的馮承銘開口道：「如果用氧化鉻做為抗反射層，也能消除大部分的駐波效應？」

「嗯。」

林天點了點頭，脫口而出道：「用氧化鉻做為抗反射層，厚度20納米，可以有效解決駐波效應。」

馮承銘：「為什麼是20納米？」

「20納米的厚度，已經可以解決大部分駐波效應，21納米，用不上，19納米不夠用。」

林天淡淡回答道。

兩人的一問一答，讓默默觀看的陳星驚嘆，紅色品質人才果然有點變態啊！

舌戰群儒，有問必答。

「剛才說話的那個老頭，就是龍芯國際的光刻首席。」曲程壓低了幾分音量介紹道。

「原來是他。」

陳星忍不住笑了笑，這位老爺子可太傳奇了。

吹個牛逼，把一群院士都唬住，如果能證實可以利用多重曝光技術實現14納米晶片，那他吹的牛也算實現了。

「製造光掩膜版的時間比較漫長，單次流片的時間都要1到3天，我建議陳總還是不要等了，公司可不能沒有你。」

曲程提了個醒道。

單次要1到3天，經過林天推算，14納米晶片掩膜版，一共要經歷50次左右流片，才能最終進行封裝使用。

最快也要50天時間，這時間還真是緊迫啊。

雙十一是趕不上了，陳星只能寄託於雙十二能見到14納米輕舟處理器晶片的樣品。

哪怕只有一枚，也能組裝出一台樣板機，方便他後續召開新旗艦手機發布會。

目睹完林天實力，再次認識到紅色品質人才變態程度後，陳星也聽從曲程的提議道：

「嗯，既然流片時間這麼漫長，那我今晚就準備先回深城了，曲老要一起嗎？」

「不了。」

曲程搖了搖頭，目光瞥向不遠處的高永明道：「晶片設計有高首席和白衍，還有那群老傢伙，我就在這裡替你看著吧，免得高永明那小子挖伱牆角。」

高永明：「……」

這句話音量提高了不少，清晰地落入高永明耳中。

挖牆腳？

他是這樣的人嗎？

雖然…確實…嗯…有億點點想挖，但曲程說得也太直白了吧，他不要面子的啊？

高永明眼角抽搐了兩下，輕咳兩聲保證道：「放心吧陳總，我不是那樣的人。」

「不信。」

曲程淡淡地瞥了他一眼。

林天展現出的超強水平，連他都心動了，想挖去龍科院，你高永明能抗住誘惑？

裝！

你小子還挺能裝！

高永明老臉一紅，也沒繼續狡辯，而是埋怨道：「曲老你就別挑撥離間了，我與陳總可是一見如故，要不是不想占他便宜，我都想和他桃園結拜了。」

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