第521章 遙遙領先的三個方案（2/2）

第二種，參考薛丁格方程和波動力學模型，在NbSn薄膜表面外延生長拓撲絕緣體，比如BiSe，利用其受拓撲保護的表面態抑制磁通線運動。

然後是最後一個辦法。

許青舟曾經參與過探月工程，覺得能參考極端環境穩定性設計理念，在電子設備預植入He離子輻照誘導納米空腔，通過空腔捕獲輻照缺陷並動態修復晶格，也就是採用離子注入技術生成可控空腔陣列，利用分子動力學模擬驗證空腔對缺陷的捕獲效率。

「得，現在該選一個了。」

三個實驗其實都有技術難度，時間有限，只能先進行其中一個，突破現在瓶頸，再考慮接踵而來的小問題。

許青舟輕輕轉著手中的簽字筆，腦子在飛速運轉，對比三種方案的優劣，可行性。

半晌過去。

許青舟的目光落到第二種方案上。

【拓撲超導界面工程。】

難度相對較低，只需要在現有設備上添加角分辨光電子能譜（ARPES），以此來驗證拓撲態和超導態耦合，再結合蒙特卡洛模擬優化界面電子傳輸路徑。

他先前進行相應的計算，發現在做拓撲設計時，BiSe會和NbSn的晶格產生失配現象，從而導致界面缺陷，而這恰恰能和卡森他們研究的過渡層相結合，通過過渡層，將失配度降低2%。

一旦搞定，至少能把目前的性能提高50%以上，能達到商業級水平。

假如把三個方案都搞定

一騎絕塵，遙遙領先。

這就是掛逼的強大之處，同行都還在第40層，他已經到99層去了。

可惜，這將是個浩大工程，除非他再在這邊多待幾年，組建一個更加完整的團隊，否則難度太大。

「呼~」

許青舟長吐了口氣，把二喵rua醒放到地板上，提筆開始計算。

YO納米摻雜的模型和計算早就做完，現在需要解決拓撲超導界面工程和YO納米摻雜協同優化NbSn薄膜的問題。

添加BdG方程建模和耦合強度量化，獨立建模拓撲態與超導的耦合，量化界面參數，最後再修正他曾經做的釘扎力模型。將拓撲界面貢獻和YO貢獻( F_{ext{YO}})迭加。

資金有限，必須要大幅降低試錯成本，而最好的辦法，當然是先通過數學進行模擬，確保拓撲超導界面與YO納米摻雜技術的協同效應最大化。

和先前一樣，通過實驗-疊代，最後確保預測精度，鎖定最佳工藝參數。

寫了半小時，許青舟又掏出手機，給卡森發去需要添加的設備，讓他早些去申請，找人安裝。

在人工這一塊，國外的效率一向都很感人。

得提前把設備搞定，這樣才能保證方案出來，能夠立刻動手實驗。

暫時需要一台配備Bi、Se、Nb源的分子束外延，Riber 32P。再來一台FEI Helios 600i的聚焦離子束。

把實驗計劃的框架寫出來，他也沒再繼續，時間一到中午，熬夜後勁兒上來了，身體輕飄飄的。

許青舟嫌麻煩，乾脆隨便煮碗面蓋上剩菜，嗦完，直接回臥室睡覺。

睡之前，還特意擺拍了張照片，給宋瑤匯報自己的情況。

(本章完)