第225章 浸潤式光刻機實驗成功（2/2）

絕對是一個大工程。

……

華光微電子年初率先完成了浸潤式光刻機的相關實驗。

幾乎和蘇翰說的一樣。

只要在曝光區域和晶圓之間加上一層高純度的去離子水。

那麼當『光』通過去離子水的時候會產生偏折，只要在這個時候微縮鏡頭，就可以將深紫外光的折射率進一步縮小。

從而突破現在一百八十納米加工工藝的天花板。

本來華光微電子的研發團隊之前還覺得蘇翰的想法有點太過異想天開。

難道一層水就能突破三十年來困擾整個光刻機產業的壁壘？

但由於蘇翰是華光微電子的大客戶。

所以他們也只能按照蘇翰的設計進行實驗。

最後打臉的是蘇翰是對的。

實驗數據真的突破了一百八十納米的壁壘。

而且經過多重曝光。

居然達到了驚人的六十五納米。

華光微電子的高層第一時間就把這個好消息通知了蘇翰。

蘇翰自然沒什麼好奇怪的。

在極紫外光技術沒有獲得突破之前，以前的地球就是用這種方法製造出更高精度的光刻機的。

所以成功不奇怪。

不成功才奇怪呢。

當然和光源一起突破的，還有蘇翰的離軸同軸雙工作檯。

有了雙工作檯的加持，到時候晶片產量也會大幅增加。

……

就在這個時候al公司也在進行浸沒式光刻機的研發。

可以說已經到了成功的邊緣。

只是讓他們不知道的是，蘇翰已經在全球各國註冊了相關專利。

留給他們的只是一場空歡喜而已。

……

am公司這邊搶先一步發布了自己的全新晶片：alongii。

該晶片同樣採用類似蘇翰的疊加技術，但經過了多重曝光以後，加工工藝達到了一百三十納米。

雖然還是雙核心，但電晶體的數量，達到了兩億，已經是華龍h3的一倍以上。

經過測試各項性能全面超越華龍h3。

alongii成為市場上的新王者。

雖然多重曝光會降低良品率，但通過疊加技術，良品率還在能接受的範圍。

不過成為旗艦晶片的好處可就太多了。

起碼在售價上可以把華龍h3擠走。

獨攬高端市場。