第一百七十二章：碳基晶片（1/2）

看著虛擬屏幕上的二級任務獎勵，韓元的喉結動了動，情不自禁的咽了下口水。

翻身，起立，他飛奔回書房打開電腦，從網上搜索著有關晶片相關的信息。

【碳基晶片、仿生機器人、元宇宙、超時空音樂會……雲棲大會即將開幕，將重磅發布核心技術。】

【碳基晶片成華威救命稻草，華威主動公開專利，引發華米碳基晶片對決。】

【矽基晶片即將到達極限？台積電再傳好消息，我國早已布局。】

【矽基晶片物理極限是七納米，為何台積電卻依然能做出五納米的晶片?】

【矽基光電子與微電子單片集成研究進展.......】

網頁上，一條又一條和晶片有關的信息映入韓元眼中。

十餘分鐘後，他終於放下了滑鼠，身體往後一倒，靠在椅背上。

矽基晶片有另外一個名字，叫做『矽基光電子集成晶片』。

從命名來看，這個『碳基集成電路板』幾乎可以確認屬於集成晶片中的概念。

只是不知道這個集成電路能達到一個什麼樣的地步？

能不能突破矽基晶片極限？

對於這個，韓元很是期待。

要知道，傳統的矽基晶片是有極限的。

這是物理極限，由矽原子和矽晶格的直徑決定的，矽原子的直徑是0.117納米，但矽晶格的直徑是0.5納米左右。

當矽基晶片突破1nm之後，量子隧穿效應將使得「電子失控」，晶片就完全失效。

準確的說，傳統的矽基晶片在5nm，甚至7nm以下，就已經存在量子隧穿效應了。

但後面科學家通過不斷的更換電晶體的材料來打破這個極限。

世界上最小的電晶體是柵極長度為1納米的二硫化鉬。

但無論再怎麼更換電晶體的材料，矽基底的物理特性擺在了哪裡。

也就是說，矽基半導體材料的極限註定在一納米這個數字上。

低於一納米，穿梭在電晶體中的電子會直接擊穿矽基底的晶格結構，從而造成電子亂串。

這也就是所謂的『量子隧穿效應』，亦是矽基晶片的極限。

然而這也只是理論，實際上由於物理所限，矽基晶片技術能做到兩納米幾乎是極限了，矽基管不能再小了。

一納米，那幾乎就是黑科技。

所以晶片如果想要再進一步發展，那麼尋找其他的材料來替換矽半導體這是必須的。

有關碳基晶片的消息，韓元也是知道一些的。

畢竟前些年的時候網絡上鬧的轟轟烈烈的。

什麼碳基晶片彎道超車。

什麼矽基晶片被強制壟斷，我國發展碳基晶片，打破西方全線圍堵。

各種有關的消息在網上遍地都是，他又不是村里剛通2G網。

當時的他還沒有畢業，對於這種東西還是挺感興趣的。

畢竟真要能研製出來碳基晶片這種東西，那華國的騰飛將是註定的，誰也無法阻止。

真要說為國奉獻出所有他也做不到，但不代表他不能為國家高速發展而高興。

但後面偶爾在和學校的教授聊過這個話題後，韓元就放下這種想法。

那名教授說的很直白。

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