第五百一十二章 湯谷（1/2）

北風蕭蕭，白雪皚皚。

今年漠北的雪，格外的大，降雪量是往年的兩三倍左右。

阿爾泰戈壁灘的深處，已經初步建成的湯谷基地，黃修遠通過替身機器人，站在基地的瞭望塔台上。

天地間，儘是白茫茫一片，他身後是基地的首席研究員萬高峰，也是之前在合肥等離子體研究所挖過來的那一批研究員中，最頂尖的幾位之一。

「瑞雪兆豐年，明年漠北肯定是一個豐收年。」說完，黃修遠轉過身來說道：「高峰，我看了你的方案，確實值得值得一試。」

萬高峰頓時感到受寵若驚，笑著說道：「董事長抬舉我了，我也是在巨人的肩膀上，才設想出這個方案的。」

「去看看湯谷一號吧！我們邊走邊說。」

倆人搭乘電梯，來到廣闊的地下基地內。

這個地下基地，是利用之前廢棄煤礦礦坑改造的，深度達到247米，長度4.3公里、寬度572米。

此時的基地內，建立了一個巨大的設備，設備非常巨大，上下有兩個巨大的圓筒設備，中間有四個長條形狀的設備。

黃修遠拿著一個平板，上面有設計圖，這是萬高峰團隊設計的湯谷一號。

上下的圓筒設備，是一個陽電子流發射系統，可以形成一道圓筒型陽電子流層，陽電子流從上面的上面噴射口，向下方噴射，下方有一套內外靜電場，可以形成內外兩個靜電場高峰，剛好將上方發射下來的陽電子流，逼到靜電場的環型低谷中。

然後吸入下方的環型設備中，最後將吸入的陽電子流，通過內部弧形靜電場管道，送回去上方的陽電子流發射系統。

圓筒型陽電子流層，可以阻擋向四面八方噴射的中子流，剩下的中子流，就是向上下噴射的中子流。

要解決上下噴射的中子流，就要依靠那四台長方形的陽電子發射系統，這四台設備，可以形成兩個水平平面的陽電子流層，插入圓筒型陽電子流層中，徹底封鎖內部爆發出來的中子流。

至於核聚變反應問題，萬高峰團隊放棄了托卡馬克裝置、仿星器，而是採用慣性束縛核聚變方案，即所謂的雷射核聚變。

魔都光機所也派遣了上百名研究員過來湯谷基地，輔助開發雷射系統。

在萬高峰團隊的設計方案中，核燃料靶丸從上方掉落，利用底部的超導磁懸浮系統，將靶丸懸浮在陽電子流層中間。

隨後啟動雷射打靶，利用高能雷射點燃核聚變，由於中子攜帶了核聚變反應中70%左右的能量，當中子被轉變成為高能質子後，很大一部分會被吸入底部的陽電子流迴路中。

確實在反應中，由於湯谷一號的設計中，採用了相對細長的圓柱體陽電子流層，讓絕大部分的中子流，撞擊在圓柱壁上，減少撞擊在底部和頂部。

黃修遠指著系統說道：

「高峰，你們還有一個小問題要注意，雖然整體系統處於真空狀態，但忽略了另一個問題，那就是一部分高能質子，容易逃逸到真空系統中。」

聽到這個問題，萬高峰也反應過來：「董事長說得對，我們需要考慮一下這個問題。」

「其他都沒有太多問題，接下來就看實際運行，再在運行中發現問題。」

「董事長，言之有理。」

湯谷一號的設計，並不追求核聚變中的氚素自持，因為靶丸中的核聚變原材料是氘素，即DD反應。

雖然DD反應需要的溫度高達9億攝氏度，但是在雷射核聚變中，溫度和壓力的問題不大。

今年剛剛完成神光3系統中，就將雷射聚焦溫度，提升到14.6億攝氏度。

這得利於黃修遠研發出來的C私納米晶體，讓神光雷射器的威力提升了好幾倍。

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