第三百五十四章 新型半導體材料（2/2）

從而控制住了漏電的情況，最終成功地突破了28納米製程工藝的極限。

而目前的大多數的晶片都是採用這種全新的結構，從而保證處理器晶片的良品率。

隨著目前半導體行業的發展，處理器晶片製程已經完全的開始達到三納米，而三納米則是一個非常困難的發展限制。

這種立體的電晶體結構已經完全無法駕馭住三納米的自產工藝若是突破了3納米製成工藝之後，會出現相應的漏電，從而導致良品率的逐步下降。

而在去年公布即將採用1納米的台基電，雖然本質上的製程工藝只有2納米水準，但就算如此整個生產線的良品率其實還不到10%，這也讓目前的台積電無法真正地開始將1納米的製程工藝進行商用。

現在的光刻機的製程工藝想要更進一步，需要做出更大的改變，當然目前是擁有著兩種改變的方式。

第一種是進行處理器晶片電晶體的全新架構的研發，目前有部分的科學家提出了全環柵極電晶體排列技術。

這項技術是上一代技術的升級版本，其最大的難度就是將原本的三面環繞變成了至少九面以上的環繞，從而保證電流經過柵極的時候不會漏電。

當然這項技術的難度是非常之高的，想要完全的將這項技術真正的運用，並且時間需要非常多的人力物力去研發。

以至於現在的各國都沒有將這項技術完全的研發出來，並且運用到接下來的半導體晶片的生產之中。

第二種辦法就是採用其他的材料，將原本的材料換成密度更高，更加穩定的半導體材料。

而系統目前獎勵的這項技術就是將原先的矽材料換成了碳基材料，從而實現新的半導體材料的變更，這種半導體材料配合著原有的技術能夠使得晶片的電晶體達到0.5納米的製程。

這種真正意義上的改變，能夠使得手機的晶片的電晶體數量進一步的提升，並且能夠使得手機真正的達到性能的突飛猛進。

而擁有了這項技術再加上全新的光刻機配合，目前華騰半導體晶片設計能力，完全能夠研發出更為強勁的處理器晶片。

只不過這項技術完全無法靠一家公司去真正的實現，新材料的變更，必須需要大量的資金配合著技術人員的研發，才能夠將新的軌跡的半導體材料完全的研發出來並且運用到目前的半導體領域。

這一項全新的半導體技術，想要從理論突破成真實地記述其不僅需要花費大量的資金，同時也需要花費大量的人力物力。

雖然說現在莓族科技公司的水平已經達到了一種新的高度，但是其擁有的資金以及整體的科研人員來說，根本無法真正意義上的將所謂的新半導體材料研發出來。

這項全新的材料技術還是需要跟更多的企業甚至是上方進行深度的合作，從而使得真正意義上的將全新的半導體材料研發出來。

不過到目前的這項半導體材料完全的研發出來，未來的半導體行業基本上都是由華國說了算。

「恭喜宿主獲得複合型散熱鋁合金材料！」

相比於第一項技術來說，第二項技術就相對於來說有點弱了。

第二項技術則是一種全新的散熱型材料，這種散熱型材料能夠使得手機內部的熱量完全的通過物理流體方式從而實現快速降溫。

而這項全新的材料若是運用在手機之中，能夠在三分鐘之內將45度的手機溫度直接降到40度以下。

這一項全新的新型散熱材料，可以完全的運用在手機內部充當散熱材料，同時也能夠將這樣的材料做成手機散熱殼，從而充當配件去銷售獲得一定的產品利潤。

並且這項技術相對於上一項獎勵來說要簡單的太多，基本上這家公司的人緣靠著實力變，可以完全的將這項技術研發出來，甚至能夠在接下來時間之內將這項技術完全的運用在實際的產品之上。

可以說這項技術是一項極為優秀好研發的技術，並且能夠幫助自家公司快速的獲得相應的資金收入。