第一千三百三十章 晶片製程（2/2）

要知道中國騰飛可是承擔著反導反衛星項目的，而該項目一個重要組成部分便是高精度遠程搜索雷達，這方面的主要研製任務是由電子科技X研究所承擔。

按理說與中國騰飛的關係不大，畢竟雷達系統不是中國騰飛的專業，能搞好射高150公里的反導反衛星飛彈就是大功一件。

然而電子科技X研究所技術理論和初始設計都沒問題，先進工藝製造方面就有些拉胯了，特別是高性能晶片的加工方面簡直慘不忍睹，至今連800納米製成的集成電路都做得磕磕絆絆，而中國騰飛研製的反導反衛星系統可是一種機動式反導攔截系統，不但要求飛彈能夠隨打隨走，其他配套設備同樣能夠伴隨飛彈長距離機動部署。

這就要求雷達的探測距離不但要遠，精確度要高而且體積不能太大，綜合功耗也不能過大，不然無法支撐長距離機動。

因此老舊的電子元器件根本就滿足不了需求，只能寄希望於先進的晶片製程工藝才能滿足這類高性能雷達的現實需求。

偏偏這種高端晶片製造工藝被發達國家所壟斷，一般的民用晶片還好，花錢就能買得到，專用的軍用晶片可就沒這麼親民了，那可是花錢都買不到的絕版貨。

這要是放在以前，沒咒念的電子科技X研究所估計只能上馬替代方案了，即用遍布全國的固定式雷達站來代替這類機動式雷達設備，先進與否暫且不提，最起碼解決了有無問題，至於機動式只能等到將來技術成熟了在填補空缺。

不過此時的國內並非沒有晶片先進位造企業，欒和平的兩家晶片製造和封測廠就一直對標南韓的三星，所使用的關鍵設備幾乎全部來自荷蘭阿斯麥爾的光刻機不說，還積極與國內的光學設備研製單位合作研製國產的光刻機和蝕刻機。

最新的成果是，WHZB已經在180納米製成光刻機上取得了決定性突破，預計在2002年便可批量投產，經過多次曝光可以生產136納米晶片。

屆時將部分取代國外設備，進一步提升自主性。

連國產設備都要達到180納米制，現如今WHZB的技術水平可想而知，早就掌握了136納米的製造工藝，也正因為如此，WHZB承接了大量英特爾、AMD、德州儀器、松下、索尼等大廠的訂單，產能可謂爆棚。

不過就是這麼一家為外企代工的先進晶片製造廠背後的大股東不是旁人，正是中國騰飛！

以前電子科技X研究所還不知道這事兒，有心想找WHZB幫著生產軍用晶片，又怕太敏感被拒絕，跟中國騰飛合作之後方才發現，原來從裡到外透著洋氣的WHZB根本就不是外人，那就沒啥好說的了，雷達的高端晶片直接就交給中國騰飛來處理。