第328章（2/2）

說話的人是徐至軍，目前他還擔任著藍思半導體的CEO，不過在移動處理器事業部他沒有過多的話語權，這裡是羅晟有最終拍板權，也是藍思半導體比較特權的一個事業部，而且有獨立的研發大樓，這是在雙方合資成立這家公司的時候就已經約定好了。

但雙方都打通了人才壁壘和專利壁壘，這一點很關鍵。

這場會議羅晟也在場，還有好幾位科學家、研究學者、這裡面包含了一些數學家等等，都匯聚在這件會議室里研討。

現在討論的重點就是第三代蔚藍手機的處理器，新產品的晶片處理器採用的是45納米製程工藝，這已經確定了，而且很多技術已經搞定了。

一位資深研究專家環視眾人說道：「我們的研發部門想到的是用金屬做柵極，因為金屬有一個效應叫做鏡像電荷，可以中和掉高K材料的絕緣層里的偶極子對溝道和費米能級的影響。這樣一來就兩全其美了，但這幾種金屬究竟是什麼，除了掌握該技術的那幾家西方高科技企業之外，外界沒人知道，這是他們的商業機密。」

絕緣層是電晶體所有的構件中，最為關鍵的一個，它的作用是隔絕柵極和溝道。因為柵極開關溝道是通過電場進行的，而電場的產生又是通過在柵極上加一定的電壓來實現。

歐姆定律告訴人類，有電壓就有電流。

如果電流從柵極流進了溝道，那還談什麼開關？

早就漏了。

另一位與會研究學者發言道：「二氧化矽雖好，但在尺寸縮小到一定限度時也出現了問題。在此過程中，電場強度是不變的，那麼從能帶角度來看，因為電子的波動性，如果絕緣層很窄很窄的話，就有一定機率電子會發生隧穿效應而越過絕緣層的能帶勢壘，產生漏電流。」

說著，這名學者比劃著名道：「可以想像為穿過一堵比自己高的牆，這個電流的大小和絕緣層的厚度，以及絕緣層的『勢壘高度』成負相關。因此厚度越小，勢壘越低，漏電流越大，對電晶體越不利。另一方面，電晶體的開關性能、工作電流等都需要有一個很大的絕緣層電容。」

「可以看出，這裡已經出現了一堆設計目標上的矛盾，絕緣層的厚度要不要繼續縮小，實際上在這個節點之前，二氧化矽已經縮小到了不到兩個納米的厚度，也就是十幾個原子層的厚度，漏電流的問題已經取代了性能問題成為了頭號大敵。」

說到這裡，會議室里一眾學者都安靜了下來。

坐在這裡的都是最聰明的那批人類，有問題當然開始想辦法。

人類是很貪心的，既不願意放棄大電容的性能增強，也不願意冒漏電的風險。

現在的情況是，需要一種材料，需要介電常數很高，同時能帶勢壘也很高，如此一來就可以在厚度不縮小的情況下，繼續提升電容。

換句話說就是保護漏電流，又能提高開關性能這樣的材料。

在學術界，近些年陸續提出了各種腦洞大開的新設計，比如隧穿電晶體、負電容效應電晶體、碳納米管等等。

但其實所有這些設計，基本上就四個方向，材料、機理、工藝和結構。

這時，徐至軍瞄了眼羅晟然後環顧眾人發言道：「石墨烯電晶體呢？石墨烯作溝道的思路是第二項，就是運輸，因為石墨烯的電子遷移率遠遠高於矽。」

此話一出，一位學者搖頭說道：「這種神奇的材料的確很有想像空間，但問題是石墨烯電晶體沒有什麼進展，大多都是概念和理論階段，還有石墨烯有個硬傷，就是不能飽和電流，但我注意到西方學術界有人表示未來或許可以做到調控石墨烯的能帶間隙打開到關閉，不再僅僅是零帶隙，不管怎麼說石墨烯是一個很有未來前進的材料，但現在談這個未免為時過早。」

徐至軍旋即看向羅晟問道：「羅總，你怎麼看？」

此時，羅晟正看著會議大屏幕上的數據信息和一個理論模型，眾人也齊刷刷的把目光落在了他的身上，後者盯著屏幕上的數據和函數模型說道：

「聽你們的討論，我一直在思考一個問題，既然電子是在溝道中運動，那我為什麼非要在溝道下面留有這麼大一片耗盡層呢？當然裡面的理由我知道，因為物理模型需要這片區域來平衡電荷。但是在短溝道器件裡面，沒有必要非要把耗盡層和溝道放在一起，等著漏電流白白地流過去。」

一群學者面面相覷，這個問題他們從來沒有想過。

羅晟打了個響指，示意一位學者然後盯著會議大屏幕上的數據模型說道：

「按我說的修改一下，把這部分矽直接給我拿掉，換成絕緣層，絕緣層下面才是剩下的矽，這樣溝道就和耗盡層分開了，因為電子來源於兩極，但是兩極和耗盡層之間被絕緣層隔開了，這樣除了溝道之外，就不會漏電了。」

所有人都眼前一亮，仿佛撥雲見霧一般豁然開朗。

大家都是人類當中智商最頂尖的那批人，羅晟這麼一說瞬間就懂了。

徐至軍頗為振奮的說道：「絕妙的點子，羅總不愧是設計天才，一語中的，深切要害啊！我們這麼多人怎麼就沒有想到呢？」

……