357章 3D快閃記憶體技術！（2/2）

「譚總你可是還科學家呢！怎麼還相信這一套！」

譚雲松笑了起來：「沒辦法，國內在半導體產業上有著如此快速的提升，這就是一個奇蹟呀！根本沒辦法用科學來解釋。」

「這不是譚總最希望看到的結果麼。」楊傑笑著道。

次日，楊傑也是出現在了新藍科技公司的研發中心，會議室裡面坐滿了公司研發部門的技術工程師，中間還有二十多名的美國的工程師。

他指著投影屏幕上自製的PPT說道：「大家看啊，這個多晶矽柵下面是三層絕緣薄膜，這三層薄膜分別是隧穿氧化層、氮化矽、屏障氧化層，其中氮化矽具有極高的電子陷阱密度，可以捕獲電子，達到存儲電荷的目的，帶電就是1，不帶電就是0。」

楊傑繼續說道：「氮化矽之前只是用在對底層金屬實現覆蓋，因為針孔很少，對水汽和鈉在氮化矽材料中擴散非常慢，這次我們將氮化矽注入溝道邊沿。」

他看到眾人都是露出了困惑的表情，笑著解釋道：「我們都知道半導體中有兩種載流子，一種是電子，一種是空穴，在對單元進行寫入操作時，採用熱電子注入法，將熱電子注入溝道邊緣的氮化矽，這樣就完成了寫入過程，在作擦除時，利用價帶間的空穴，將空穴注入溝道邊緣的氮化矽，消除電荷，就完成了擦除。

「由於氮化矽的絕緣性，熱電子效應產生的電子只能被注入並限制在溝道邊緣。正是這樣，兩側溝道一旦全部帶電就是11，全部不帶電就是00，但是我們一旦把兩側溝道其中一側進行單獨擦除，就會出現四種情況，一種是01，一種是10，於是我們就在不進行複雜工藝改變的前提下，讓現有的快閃記憶體容量增加了一倍。」

「在這個基礎上，我們可以今後發展出多電壓控制柵極多層注入電荷技術產品，實現多層的堆疊，可以用這種技術在現有的製程工藝上最大限度地增加快閃記憶體的容量，而不是完全依靠製程工藝的提升，這也大大地降低了快閃記憶體的成本。」

聽到這裡，會議室里一片譁然，眾人都是無比驚喜，韓小龍此時激動地鼓掌，隨後大家都是跟著用力地鼓起掌來。

「楊少你太神了！我們得趕緊實驗！趕緊寫論文申請專利！」韓小龍激動地說道。

「楊先生，你的設想太完美了！我覺得可行！真的可行！這個路子怎麼以前就沒人想到呢！你真是天才！」

此時好幾個美國工程師都是激動地站起來嚷嚷。

「楊少，我有個問題，這種技術路線的確讓一個存儲單位可以承載四個信息，比以前翻了一倍，可接下來怎麼讀取呢？」一個工程師舉起手問道。

「這四種情況的電壓是不同的呀，我們只要設計出一套解碼電路，用於讀取並解析數據就行，具體的解碼電路還需要你們去設定。」楊傑笑著道。

「楊少，我們馬上對解碼電路進行設計，我差不多有了想法，我保證下一周把晶片設計拿出來，隨後就能進行製程工藝流程的設計，最晚月底，我們就可以進行第一次工程流片！」

韓小龍激動地說道。

「很好，我等著你們的好消息。」楊傑看到眾人都跟打了雞血一樣，笑著點頭道。

現在他捅破了這層窗戶紙，新藍科技公司將成為世界上第一家採用3D快閃記憶體技術的設計企業！也可以說是徹底地擺脫目前所受的英特爾和東芝的快閃記憶體專利束縛，抵消了需繳納給國際快閃記憶體技術聯盟的專利費！

只要晶片流片成功，拿到專利申請，國外的這些快閃記憶體大廠反過來還要向公司繳納專利費！

看到一臉笑容的楊傑站在那裡，韓小龍等人心中都是無比感慨：楊少真是一位神人呀！

楊傑也是準備留在這裡親自參與接下來的晶片設計研發，但是第二天一個電話卻是讓他不得不趕到了電化學實驗室——

朱總理來電化學實驗室視察了！