第一千零九十八章成功了（2/2）

值得一提的是，製作晶片除了需要光刻機之外，還需要蝕刻機，如果說光刻機是晶片製造的魂，那麼蝕刻機就是晶片製造的魄，想要製造出真正的高端工藝晶片，這兩樣都必須是頂尖的。

而在此之前，國產光刻機和蝕刻機的發展非常尷尬，屬於嚴重偏科的情況，中微半導體已經可以進行5納米級別的蝕刻機量產，直接無懸念的邁入世界一流行列，量子蝕刻機也在試驗階段了，這可是沒有葉華幫助的結果。

但是光刻機企業不管是微電子的90納米級光刻機，還是影速的200納米級光刻機，與當前世界ASML最先進的5納米級製程都是難以望其項背的差距。

這倆機器設備，簡單的說就是光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的矽片上，當然現在是錫片，而蝕刻機再把畫了電路圖的晶片上的多餘電路圖腐蝕掉。

這樣看起來似乎沒有什麼難度，但是有一個形象的比喻，每一塊晶片上面的電路機構放大無數倍來看，比整個都複雜數倍，這就是光刻機和蝕刻機的難度。

光刻的過程就是現在製作好的錫圓表面塗上一層光刻膠，所謂光刻膠就是一種可以被光腐蝕的膠狀物質，接下來通過極紫外光透過掩膜映射到錫圓表面，類似於投影。

因為光刻膠的覆蓋，照射到的部分會被腐蝕掉，沒有光照的部分則被留下來，這部分就是所需要的電路結構了。

光刻機的光刻作用就類似於照相機照相，工作原理便是將晶片路線與功能的電路圖通過具有圖形的光罩對塗有光刻機晶片晶元進行曝光，光刻膠見光之後會發生性質變化，從而使得光罩上得到電路複印到晶片晶元上。

形象的說就像平面印刷工藝，一旦確定架構方案，只要原材料充足，刷刷刷的放量生產就完事了。而蝕刻方式有兩種，一種是干刻，一種是濕刻，這次中微半導體提供的就是第二種蝕刻方案。

顧名思義，濕刻就是過程中有水的加入，將上面經過光刻的晶圓與特定的化學溶液進行反應，去掉不需要的部分，剩下的便是電路結構了。

而干刻目前還沒有實現商業量產，其原理是通過等離子體替代化學溶液，取出不需要的錫圓部分。

中微半導體也是CSAC俱樂部聯盟體系中的核心成員之一，也是很興奮，因為從李林飛這裡獲得了強大的理論技術支持，等離子蝕刻商業化已經是未來可期。

調製完畢之後，李林飛在身前劃出一道全息面板，輸出一串指令光刻機開始自動化運作。所謂自動化控制，便是從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序來控制的。

接下來的時間，要生產34種不同功能的的晶片，而構成一台PHC機器內部集成正好是34種不同的晶片，基本都是由上游的供應商來提供，英特爾公司不過是其中之一而已。

可見半導體產業之難，不亞於上青天。

從一點也不難看出，想要外國集成電路廠商的依賴，李林飛必須要牽頭把CSAC搞出來，光是靠未來科技一家，即便他開了掛也不可能在半年之內搞定。