第1013 星辰大海，腦機互聯（1/2）

下午的會議，鄭振川就沒有再參加了。

但遠芯對半導體行業的討論仍然在繼續。

「過去十幾年，我們一直在和intel比工藝，截止去年，我們都已經走到了成熟的45nm節點上。」張汝金戴上了老花鏡，瞥了一眼手中的文件，臉上是不甚唏噓的感慨：「不得不說,intel還是很厲害的，我們每次有領先，他們總是能夠及時的追上來甚至還能反超。」

「摩爾定律就是這麼實現的。」蘇遠山笑著補充了一句。

「是啊，但今年我們可以提前一大步了。」張汝金笑呵呵地望向眾人，但主要的視線還是停在蘇遠山的臉上。

畢竟，這與會的多人里，還是蘇遠山對半導體工藝理解得最深刻。

「最遲年中，我們就可以推出基於22nm的finfet工藝,把晶圓的電晶體密度再上一個台階。而且我們目前的DE技術已經成熟，目前正在向SADP技術轉移，從技術的角度，是可以支撐我們的工藝在DUV的條件下把製程繼續往下探，或者說，等效製程往下探。」

DE（doubleexposure，雙重曝光），SADP（色lf-aligneddoublepatterning自對準雙重成像）

「如果intel跟不上，那這將會是一次巨大的領先！」張汝金紅光滿臉，終於忍不住有些激動起來：「製程進入到22nm之後，finfet將會是唯一的選擇，最起碼目前是。」

在場的眾人並不是每個人都對半導體工藝有理解,見到身邊的周小慧露出遲疑的神色，蘇遠山就輕輕咳了一聲，笑著替她解釋道：「目前的電腦晶片一直採用摸sfet結構,嗯……準確的說,是NPN結構……」

見周小慧還是有些不懂，蘇遠山便放棄了解釋,直接道：「反正就是,我們以前所說的製程就是指的摸sfet結構中的溝道長度。溝道越短，電阻越小，性能越高，同時電晶體密度也就越大，所以才要不斷提升製程。」

「哦？然後呢？」

「然後就是如果還是沿用以前摸sfet結構的話，當溝道長度越來越短，譬如22nm之後，源極和漏極之間也會越來越近，電場也越來越近。」蘇遠山說著伸出雙手靠近，然後把自己的筆記本放在手上：「我的兩隻手就是源極和漏極，電流從源極流入，漏極流出，並產生電場，當它們距離過近，就會干擾到上面的柵極，從而漏電我們把這個效應稱為短溝道效應。」

「而finfet結構就是為了解決這個問題而誕生的，甚至還因為它的結構是把電晶體豎了起來譬如我豎起了手掌從而可以獲得更高的電晶體密度之外,還能很好地解決短溝道效應。所以,從目前來看，22nm是今後高性能晶片是否採用finfet結構的一個分水嶺。」

「等效製程呢？」

「等效製程就是，在finfet結構下的電晶體數量，按照摸sfet結構來算的話，需要多少的製程才能達到。譬如一個晶片採用finfet結構，有100億個電晶體。用摸sfet結構的話，要達到100億個電晶體，溝道長度需要縮短到14nm於是我們就認為這款晶片的等效製程是14nm。」

「懂了吧？」蘇遠山目光灼灼地看著周小慧。

周小慧抿嘴一笑：「不是很懂。」

蘇遠山：「……」

對面的一群人便樂了起來，丁壘一邊笑著一邊打趣道：「感覺夢回90年的課堂。」

「好吧，反正只需要知道這個工藝很有意義，十分有意義。」

「那能拿北極星麼？」周小慧眨了眨眼，好奇地問道。

然後眾人便齊齊地望向蘇遠山。

北極星已經開了兩屆，而且和當期的諾獎裝車率極高，這一下就拉高了北極星的「逼格」。

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