第517章 IGBT（2/2）

光電系已經在LED及LCD行業，樹立了絕對權威。只要是光電投出去的論文，在各種國際期刊上，都是通行無阻。

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馮言這次是被迫回來的。

她在學校里舒舒服服過了小半年，悠哉悠哉，爽得很。這段時間裡，她的社交圈擴大了很多，到哪裡都是焦點人物，很受歡迎。

她的價值在這段時間不但沒有降低，而且還高開高走，與很多公司都建立了聯繫。如果她想做項目，大把的資金和項目就會蜂擁而來。這跟郝雲麗到處求項目和資金，截然相反。

由於日子過得很舒服，她都想就這麼混下去了。但是隨著郝雲麗的一篇大論文，她的好日子突然結束了。

郝雲麗在SCIENCE上發表一篇震動世界的論文，至少是震動了愛德華實驗室。

郝雲麗以前有過一次發表在CNS頂級期刊的機會，但是王教授為了搶時間，放棄了。

這次她終於如願以償。

而且這篇論文不是普通的頂級論文，據愛德華教授評價，這是一篇有諾貝爾獎潛力的論文！

這使得很多前段時間，反覆與郝雲麗討價還價的實驗室和機構後悔不已。

愛德華實驗室也是有機會留下郝雲麗的，愛德華教授現在雖然什麼也不說，但是看馮言的眼光都變了。不僅僅是他，所有人都把希望寄托在了馮言身上。

同樣的出身，類似的科研履歷，馮言甚至還有產業界的支持。大家開始對她的幾個月毫無作為不滿了。

郝雲麗在匹茲堡大學和愛德華實驗室里已經成了傳說。她過去的一些戰績，例如她發表的總論文數，也被大家津津樂道。

相應的，對馮言的期望值，也提高了不只是一個檔次。

馮言抵不住這種壓力，乾脆就返回了冰城。

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與葉靜討論之後，她就去找成永興。但是兩個人一見面，她就被安排了新的任務。

IGBT。Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型電晶體，應用範圍非常廣泛，它包括了變頻，變壓，開關電源等。在後世，它的應用場景包括了軌道交通，電動汽車等。

在1992年，IGBT也不是什麼新概念。

1979年的時候，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅就已經出現了。

這個技術一面世，就吸引了世界各半導體廠家的注意。多家公司幾乎同時並獨立地發明了這種器件，剛開始各公司對其稱謂也不同。

隨著時間的流逝，IGBT的技術也日漸成熟，一些新的製造工藝（DMOS）被採用，各種不同的結構，被各廠家進行試探，並有所成就。

時間走入90年代的時候，隨著大規模集成電路工藝的逐步成熟，有一些半導體生產中採用的工藝，很快就會被IGBT研究人員引入。

矽晶片的垂直結構（3D），給IGBT的設計，帶來了巨大的改變。

在90年代中期，IGBT的結構，先後出現了多次技術突破。

其中比較有名的有，NPT-IGBT（穿透式），LPT-IGBT（弱穿透），這一波里，最重要的技術是CSTBT。至此第五代IGBGT才算正式成熟。

這個技術方向，成永興盯了很久了，因為它的經濟價值非常大，甚至不弱於LED，但一直苦於沒有人手。

隨著時間的流逝，這些技術面世的窗口，也在慢慢關閉。

所以，馮言一回來，就被他立刻抓了差。