第8節 晶片準備（2/2）

對於剛剛建立的大深市晶片產業公司，在台極電眼裡幾乎是不能再小的晶片設計公司，在晶片製造產能上，絕對延後再延後，

甚至是晶片正在生產過程中，一旦晶片設計巨頭下了生產訂單，就馬上下線，優先供應製造晶片設計巨頭公司。

…

李飛這樣確定，是因為cmos工藝已經非常成熟了，

在1963年CMOS工藝已經出現，只不過早期的CMOS器件性能也較差，但由於CMOS器件的功耗極低，集成度也高，用以製造數字LSI和VLSI集成電路可很好地解決最迫切的功耗問題，

於是，在數字LSI和VLSI集成電路的製造中首先得到廣泛應用，並得到快速發展，特別是自20世紀80年代以來，更成為CPU、RAM、ROM等VLSI的主導製造工藝，在電腦晶片工藝應用上十分廣泛。

由於cmos工藝具有電流小，抗干擾能力強，集成度高等一系列的優點，

各大晶片設計巨頭公司開始在模擬晶片電路進行CMOS工藝研究設計…，

而李飛利用重生前的晶片技術積累，用cmos工藝製造FM晶片，可以說在FM晶片市場上是非常先進的晶片工藝技術了！

那麼，如果FM晶片使用雙極TTL電晶體工藝，在市場上沒有優勢了！最重要的是FM晶片後續應用於汽車和手機，可能就沒有技術優勢了，因為汽車和手機的電磁干擾非常大，

於是，李飛親自打電話給台極電專業負責客服工程電話，客氣地說道：「你好，我是大深市晶片產業的工程師李飛，關於貴司的郵件告知我司的晶片流片還需要延遲，到底是什麼原因？」

對方態度不友善地說道：「哦，你FM晶片工藝要求是COMS，可是目前FM晶片主流可是雙極TTL，」

李飛壓住心中怒氣，平和道：「現在晶片工藝主流是COMS…，」

沒等李飛把話說完，對方打斷了，並輕蔑地說：「你們內地人不懂，晶片是高科技產品，和你說不清，簡單地說，你的FM晶片採用CMOS工藝，是比較複雜，在晶片製造上工序比較多，所以，晶片流片時間需要延緩…」

李飛樂呵一笑，在本人面前談論晶片製造工藝，你還嫩了一點，重生前，本人在英特爾是副總裁，負責英特爾的晶片設計和晶片製造，

...

同時，李飛從內心上，認為不必和這人一般見識，不必再繼續說下去…，

但為了FM晶片早點量產，早點讓FM晶片進入市場變現，李飛不得不展示晶片研發實力，給一點顏色看看，讓對方知道什麼是研發技術大神。但沒有必要再客氣了，就命令道：「你不要打斷我說話！如我說得沒有錯的話，CMOS工藝流程大概是這樣的：

先是準備n型矽片，用以製造NMOS和PMOS電晶體。（註：CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的）

再使用濕氧化方法，在矽片上生長設定厚度（如約0.6微米）的二氧化矽層，作為製造p型區的掩蔽層。隨後光刻p型區。

接著，光刻出NMOS電晶體的p阱區和PMOS電晶體的源、漏區後，使用氮化硼片作摻雜源進行硼預澱積。

在澱積硼以後，進行雜質推進擴散，形成NMOS電晶體的p阱，在推進擴散的同時，也進行干氧化，接著進行濕氧化預定時間（如20分鐘），該二氧化矽層作為光刻n型區的掩蔽層。

如光刻出n型摻雜區，然後進行磷摻雜擴散，形成NMOS電晶體的源、漏區；

在磷擴散以後，進行濕氧化預定時間（如20分鐘），該二氧化矽層用以製造NMOS和PMOS柵氧化區的的掩蔽層；

光刻出NMOS和PMOS電晶體的柵區，然後使用干氧化方法，生成設定厚度的柵二氧化矽層（如500納米製程），」