第612章 國產光刻機的研發進程，至少縮短了（1/2）

第611章 國產光刻機的研發進程，至少縮短了十年！

自從星源科技與華科協會下屬的光電所，聯手研發出了『磁約束放電等離子體光源』（即MDP）技術後，便開始著手攻克光刻機的第二大技術壁壘——光學系統。

畢竟，單是『造出光』還不行，還得『用好這束光』，才能完成晶圓曝光，進而實現晶片的生產製造。

可讓陳延森頓感無奈的是，國內EUV光源激發方式的主流研發方向，基本以雷射產生等離子體、放電等離子體或者雷射誘導放電等離子體為主。

而星源科技光學部絕大多數工程師的技能和項目經驗，都與研發需求不匹配。

所以在研發配套光學系統時，進度極為緩慢。

要知道，EUV光幾乎會被所有物質吸收，因此無法使用傳統的玻璃透鏡，整個光路必須在真空環境中使用反射式光學系統。

收集鏡、照明系統、投影物鏡系統、掩膜版和掩膜台都得設計配套的技術方案。

MDP-EUV光源技術確實走出了一條獨特的新路，但這種創新並非沒有代價。

一切障礙，都要自己去掃平。

陳延森在獲悉光學部的研發進度後，立馬就絕望了。

他心裡清楚，若不給這幫人指條明路，恐怕五年、十年，都沒法往前邁出一步。

不得不說，他高估了林南團隊的水平。

他沒想到，這麼簡單的配套技術方案，林南等人卻在正確的路口邊緣，足足蹭了四五十天，卻無絲毫進展。

於是，陳延森在開發出脈思（Mass）V1.0後，又馬不停蹄地設計出了「多殼層掠入射橢圓收集鏡系統」。

這玩意本質上是一套精密的多層膜鏡子，可以高效捕獲EUV光源，並將其初步聚焦引導至照明系統里。

難點主要有兩個：收集效率和抗損傷能力。

前者是因為EUV光線是向四面八方發散的，若想提升收集效率，就得設計複雜的多鏡拼接結構，同時保證每片鏡子的角度校準精度都要達到微米級。

然而，任何角度上的偏差都會導致光線漏失，從而影響到收集效率。

後者是因為等離子光源被激發後，會產生極高的溫度，這就需要超強的抗損傷能力。

收集效率要求多層膜具備「薄、勻、純、無遮擋」等特性，以最大化反射率和角度適配性。

而抗損傷能力要求多層膜又得「厚、硬、耐侵蝕」，必須增加額外保護層的材料。

聽起來很矛盾，但這也正是收集鏡的技術難點所在。

陳延森設計的這套「多殼層掠入射橢圓收集鏡系統」，便很好地平衡了收集效率與抗損傷能力。

不僅能夠高效捕獲由高功率脈衝放電、轟擊金屬錫靶產生的13.5納米EUV光，還能將其匯聚到遠處的中間焦點，為後續的照明系統提供足夠功率且均勻的光束。

與此同時。

林南很快就發現了這封加密郵件，在打開技術文檔後，先匆匆掃了一眼，接著就愣在了原地。

老闆發來的這套方案太完整了，從光學設計的構型、入射角，再到基底材料、反射塗層、熱管理子系統和電磁場碎屑減緩系統，甚至連鍍膜工藝的參數表、誤差校準的算法模型都附帶在內。

此前光學部爭論了半個月的「多鏡拼接角度偏差」問題，文檔里直接給出了「雷射干涉實時校準」的解決方案，就連校準用的雷射波長、採樣頻率都標註得一清二楚。

林南猛地站起身，聲音都有些發顫：「這簡直是把答案寫了出來！」

技術文檔里沒署名，這套技術是老闆買來的、搶來的，還是說除了星源科技光學部，森聯資本其實另有研發實驗室？

林南坐在工位上，忍不住胡思亂想著。

上次MDP-EUV光源技術的事，他就問過梁勁松和陳延森。

梁勁松一頭霧水，陳延森則讓他別瞎打聽，他也只能把滿肚子好奇壓在心底。

可這一次，他又按捺不住了。

實在是「多殼層掠入射橢圓收集鏡系統」的技術太強了，完全是一套完整且成熟的技術方案，由不得他不多想。

林南沉吟半晌，最後苦笑了一聲，捏著手機的右手重新放下。

他知道有些問題，別人不想說，就代表不能說，或者說根本沒有答案。

隨後，他連忙召集核心研發人員開會。

會議室內，當大家看到文檔中「多殼層橢圓結構」的三維模型時，原本沉悶的氣氛瞬間沸騰。

光學系統設計組的主任工程師指著屏幕說道：「內層鏡負責捕獲中心60度範圍內的EUV光，中層鏡覆蓋60到120度，外層鏡補全120到180度，這樣收集效率至少能提升到80%，壓根就沒法比，我們之前的那套方案跟垃圾有什麼區別？」

更讓眾人驚喜的是熱管理子系統！

文檔中提出在鏡體內部嵌入微通道水冷結構，搭配耐高溫的鉬錸合金基底，既能承受等離子體的高溫衝擊，又能避免溫度過高導致多層膜脫落。

「我們最擔心的『高溫損傷』問題，這套方案竟然連水冷通道的直徑、水流速度都算好了！」

材料組的工程師翻到工藝參數頁，激動地說道。

「對了，林工！這個梯度塗層的方案，從鉬矽多層膜到二氧化矽保護層，每層的厚度誤差控制在0.1納米以內，還得用脈衝雷射沉積法分80次沉積，這精度咱們的設備能達到嗎？」

有人面露難色地擔憂道。

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