第613章 四大巨頭的價格戰（1/2）
四月十六日，通城，徐申學在智雲微電子有限公司的總部里，舉辦了一場半導體會議。
會議主要針對現有七納米以及五納米工藝的產能擴充，未來三納米工藝、二納米工藝的技術攻關進行了討論。
邏輯晶片是徐申學非常關注的一個領域，但是也不僅僅只是關注這個領域。
在儲存晶片領域裡徐申學也非常關注……因為儲存晶片市場目前看似平靜，但是新一輪的大規模價格戰正在醞釀當中。
上一輪儲存晶片市場的價格戰，是兩年前，當時的智雲儲存試圖靠著先大規模量產的10C工藝玩價格戰，四星半導體緊跟身後，試圖聯手打壓海力士以及鎂光。
但是出手過於倉促，資金準備也不是很妥當，最重要的是當時的10C工藝節點產能不夠，10B工藝的競爭力也比較一般，最終導致效果不是很好。
搞了一四敗俱傷的價格戰，除了損失各自的利潤外，沒起到什麼實際作用。
而現在，智雲儲存這邊，打算再來一次！
這一次，他們將會準備的更加充分！
而這一次的半導體會議里，在儲存晶片領域的討論，其實也是為了下一輪的儲存晶片市場的技術戰以及價格戰而準備。
快閃記憶體領域，根據會議討論，將會重點圍繞一百層到一百五十層之間的成熟3D NAND快閃記憶體晶片進行大規模的產能擴充，同時建設擴充兩百層以上的3D NAND快閃記憶體晶片的大規模量產。
雖然兩百層以上的快閃記憶體晶片已經有了，但是受限於成本以及產能問題，目前其實並不是主流。
主流儲存晶片的層數，中高端產品是在一百層到一百五十層節點，而這個中高端市場，也是四大儲存晶片巨頭的核心營收以及利潤來源……是支撐其研發新一代技術，建設下一代新工藝產能的戰略支撐。
只要能夠在這個市場區間裡擠死對手，就等於斷了對手的糧草，對方將會在新工藝的研發，新工藝的產能建設上落後……以後就只能玩落後市場了。
半導體製造業非常殘酷的，一步落後就是步步落後。
而領先者，就能夠在新一代工藝上獲得豐厚的營收以及利潤，進而形成良性循環！
智雲集團，在邏輯晶片領域裡的領先優勢，就是這麼一步一步積累起來的！
現在，在儲存晶片領域裡也這麼玩！
儲存晶片除了3D NAND這種快閃記憶體晶片外，還有一個核心產品那就是運行內存晶片。
半導體會議上，確認了進一步大規模擴充相對成熟的10C工藝內存晶片的產能，要求在兩年內把這個核心工藝的產能再翻一番。
要打價格戰，充足的產能是前提……要不然產能就一點點，供不應求的話，還打什麼價格戰啊！
擴大成熟工藝產能的同時，並進一步推進到10D工藝，即第四代十納米工藝，其實際工藝節點規劃為12納米的量產計劃，要求在今年秋天完成技術驗證，明年就大規模出貨！
10C成熟工藝擔任主力，直接玩大規模降價，衝擊對手的基本盤，讓對手的現金流迅速枯竭，失去維持下一代工藝研發以及製造現金流！
新工藝的研發和製造，很耗費資金的！
同時使用頂級技術……對手一時半會追不上的10D先進工藝占領高端市場，以維持整體利潤。
這是一套組合拳，是價格戰和技術戰的雙重結合！
智雲半導體部門很喜歡這麼打擊對手……大多時候效果都挺好的。
其中的10D工藝，就承擔著非常重要的責任：要趁機搶占高端市場，並且在10C工藝的利潤迅速降低的時候，以自身利潤給整個智雲儲存業務回血！
不然到時候10C工藝大規模降價銷售，利潤暴跌的時候，又沒辦法用10D工藝回血，這樣的話就尷尬了。
10C以及10D工藝，這是智雲集團在內存晶片領域的工藝代稱，10C工藝的實際工藝節點為14納米。
這也是目前全球範圍內大規模量產工藝里最頂級的工藝，該工藝出現的還比較早，一度領先了四星半導體……不過四星半導體沒多久就追上來了，沒能形成太久的技術優勢。
目前的10C工藝，是智雲集團旗下各種高端內存晶片的主要量產工藝，這兩年智雲集團的很多終端產品里，都能找到採用該種工藝的高端內存。
目前智雲集團旗下的智雲儲存的HBM3高帶寬內存，也就是APO6000顯卡上使用的內存，就是採用這一工藝製造。
智雲集團旗下的S系列手機，如去年發布的S20Max Pro旗艦級，上面採用的LPDDR5內存晶片，也是採用這一工藝……智雲儲存旗下的LPDDR5高性能高速內存，也是目前最頂級的低功耗內存，性能甚至超過了四星的LPDDR5內存產品。
其原因就是來源於代工生產LPDDR5內存的智雲微電子，其10C工藝的所提供的卓越性能。
現在的10C工藝，依舊是目前量產工藝里的頂級工藝，當然，已經無法大幅度領先對手了。
因為四星半導體，鎂光，海力士都已經陸續追上來並擁有了該級別工藝……他們的同級別工藝有好有壞，但是整體處於同一級別，區別不是很大。
現在，智雲微電子在內存工藝領域裡，已經是全力朝著更先進的10D工藝衝擊，其工藝節點為12納米。
智雲微電子的內存晶片的工藝劃分，早期是採用30納米，25納米，20納米！
後來進入十納米工藝時代後，第一代採用10A工藝，實際工藝節點為18納米。
第二代10B工藝，實際工藝節點為16納米。
第三代10C工藝，實際工藝節點為14納米……這一代工藝開始，智雲微電子開始採用EUV光刻機製造內存晶片的部分核心工序。
而第四代的10D工藝，實際工藝節點為12納米……
這個10D工藝的技術水平是非常高的，屬於目前世界上技術最先進的內存晶片工藝，沒有之一，哪怕是四星半導體想要追上來都困難的很。
而且這種工藝對先進設備的要求也非常高，10D的很多工序里，已經需要大規模使用最先進的HEUV-300C光刻機了。
之前的10C工藝節點裡，可用不著這種頂級傢伙，用的還是HEUV-300B光刻機，並且也只是在少量的核心工序里使用。
而10D工藝，則是需要更先進的HEUV-300C光刻機，並且應用工序更多……這意味著性能更優秀，但是製造成本也更高。
主要是HEUV-300C光刻機貴……這種光刻機是目前海灣科技旗下，也是全球範圍內性能最頂級的量產型號光刻機，其1.5納米的套刻精度能夠輕鬆用於製造等效五納米/七納米工藝的晶片……這款光刻機，乃是智雲微電子裡現在以及未來用於大規模製造EUV單次曝光工藝的主力光刻機。
至於更老舊的HEUV-300B，雖然光刻性能達標，但是生產效率不太行，每小時產能只有一百二十片，現在都已經停產了……有了更先進的HEUV-300C，海灣科技都不願意繼續生產HEUV-300B了。
這也和海灣科技自己的策略有關，因為EUV的鏡片組產能有限，一年在只能生產這麼點EUV光刻機的情況下，他們更傾向於客戶採購最先進，價格更高，利潤更高的產品。
而不是用寶貴的EUV鏡片組產能，去生產成熟便宜，利潤也比較低的產品。
所以，海灣科技把HEUV-300B光刻機的價格標的比較高，簡單直白的告訴客戶：別買這玩意了，來買HEUV-300C啊！
最後客戶一算，HEUV-300C雖然貴很多，但是綜合使用成本性價比還要更好，所以也不抗拒。
別說智雲微電子了，現在中芯採購EUV光刻機，都是採購HEUV-300C型了，只是他們沒啥錢，買的很少。
現在的HEUV-300C光刻機還是相當不錯的，都能夠用來勉強生產等效三納米工藝的晶片了……智雲微電子的第一代三納米工藝，就是用這款光刻機做的。
當然，只是初步滿足等效三納米工藝的需求，良率以及成本上還是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的製造等效三納米乃至二鈉米等一系列EUV雙重曝光工藝的晶片，那麼就需要更新型，目前海灣科技那邊剛完成原型機研製，還沒有開始供貨的HEUV-300D！
這是一款套刻精度達到了驚人的1納米的頂級EUV光刻機，專門為了EUV雙重曝光工藝而研發。
不出意外的話，這也將會是HEUV-300系列光刻機的終極產物……因為到這個階段，光源波長已經沒辦法縮減了，單次曝光的金屬間距被限制在了26納米左右，用在單次曝光製造五納米工藝就是極限了。
要製造三納米工藝的話，就需要進行雙重曝光，這也是300D光刻機的主要技術進步特徵，進一步縮小了套刻精度，使得雙重曝光的良率更高，成本更低。
然後到了二納米工藝呢？一點五納米工藝？一納米工藝呢？
現在的EUV光刻機可就不太好用了。
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