第399章 流光草（2/2）

1985年9月，美利堅、日本、聯邦德國、法國以及英國的財政部部長和中央銀行行長舉行會議，達成五國政府聯合干預外匯市場、解決美利堅巨額貿易赤字問題的協議。由於這一會議召開的地點在紐約廣場飯店，因此被稱作廣場協議。

該協議簽署後，日元開始升值。美利堅商務部也啟動了301反傾銷調查，在次年簽署美日半導體協議，迫使日本打開晶片市場。雖然此時日本廠商仍占據技術優勢，但是其低價策略已經失去了效果。

三星、現代、LG和大宇四家南韓廠商依靠財閥的充沛財力，在80年代投資超過20億美元（折合今天上百億美元），開始在技術上追趕日本公司。

進入90年代後，荷蘭光刻機供應商ASML的光刻機技術開始超過日本佳能和尼康。美光、三星相繼更換ASML光刻機，現代電子也緊隨其後採用了ASML的光刻機。

由於日本DRAM廠商堅持使用佳能和尼康光刻機，韓日雙方在工藝、成本上逐漸拉開了差距。1997年，亞洲金融危機爆發，由於南韓企業負債率過高、外匯儲備不足、歐美債務收緊，韓元在年底數周內暴跌60%，卻極大地增強了南韓企業的出口競爭力。

1998年，南韓DRAM企業的市場份額首次超過日本。

除了依靠各大財團的雄厚實力外，南韓政府在半導體產業規劃方面同樣發揮了巨大的作用，從1975年開始，頒布了多項政策扶持南韓半導體產業發展。

為了促進南韓半導體產業的競爭力，政府在1999年將現代電子與LG半導體合併，現代電子擁有多數股份。

在這次整合中，本來現代電子最初拒絕為LG半導體的債務買帳，但是當時要求兩家公司合併的龐大壓力來自於南韓政府，最終現代電子不得不做出妥協，合併後現代電子負債近140億美元，債務股本比高達160%，這為公司帶來了龐大的經濟負擔。

2001年，因為現代電子從現代集團中拆分，公司改名為海力士。同年美光完成收購德州儀器的內存部門，隨著1999年到2001年內存行業整合結束，三星、美光、海力士、英飛凌四家掌握有全球近八成的DRAM市場份額。

此時DRAM市場競爭已經趨於白熱化，產品價格接近生產成本，之後網際網路泡沫破裂，DRAM價格崩盤。

根據IDC數據，在2001年DRAM容量需求上升56%的情況下，DRAM價格降低了46%，2001年DRAM市場預期只有238億美元，相較2000年縮水18%。

在這樣的市場行情下，海力士虧損25億美元，無力歸還貸款，資產負債率高達206%。

考慮到半導體行業巨大的遠期資本支出需求，南韓政府和以南韓外換銀行為首的債權人開始推動出售海力士。

然而，三星和LG都拒絕接手這個負債纍纍的爛攤子，只有美光想要趁機大賺一筆。

2001年底，時任海力士總裁的Park Chong-sup與美光達成協議，美光將以價值30億美元的股票收購海力士的整個內存晶片業務與25%的其他業務，而且還不會接受海力士的60億美元債務。

儘管當時海力士已經走投無路，但這一計劃依舊遭到了海力士董事會的一致反對。

最後美光收購海力士失敗，各大DRAM廠商開始期待海力士倒閉空出的市場。

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