第1621章 現在和未來，都是我們的（1/2）

或許是為了給這番論述一個直觀的註腳，張汝寧走到測試平台旁，小心翼翼地從特製載物架上取下一片晶圓，交到欒文杰手中。

經過特殊處理的矽片表面光滑如鏡，肉眼看去並無特殊之處。

但旁邊的顯示屏隨之亮起，清晰地呈現出一個由無數細微線條構成的、邊緣銳利無比的字母。

「F」。

「受限於這裡的條件，我們沒有完整的晶圓台和光刻膠處理線，無法製造出包含複雜電路的完整晶片。」張汝寧指著屏幕解釋道，「但是，您看到的這個字母『F』，其每一筆劃的線寬，都是嚴格按照30nm的特徵尺寸設計並光刻出來的。」

他伸手輕輕點在屏幕上那個清晰銳利的「F」上，加重語氣：

「30nm，已經超過了T工藝所能達到的實際精度。」

欒文杰雙手捧著那片小小的晶圓，如同捧著一塊稀世珍寶。

儘管根本不可能分辨出30nm的細微線條，但他依舊看得無比專注——

這手掌上的方寸之間，蘊含著足以撼動全球半導體、乃至全球科技格局的力量。

沉默，持續了足有一分鐘。

終於，欒文杰長長地、極其緩慢地吁出一口氣，動作輕柔地將晶圓交還給張汝寧。

似乎還帶著些許不舍。

「這塊晶圓，我們會做專門保存。」常浩南看出了對方的心思，出言道，「這是我們在半導體生產領域反超的起點，以後可以放進工建委的博物館裡。」

說起這個，他突然想起了那塊至今還放在地下倉庫裡面的B2碎片。

「算了。」欒文杰低聲感嘆，聲音透過面罩顯得有些沉悶，「這東西就算能展出，我們怕是也搶不過國博……」

一個玩笑，讓現場的氣氛輕鬆了不少。

但很快，他又話鋒一轉。

「我之前去華芯國際調研的時候，聽他們的技術專家提到過。」欒文杰提出了一個更長遠的問題，「在當前矽基CMOS工藝的物理框架下，製程的極限大概在5nm或者3nm附近，如果按照剛才計算的107.22nm等效波長來推算……」

「是否意味著，未來我們這台ArF-1800，也有可能通過技術優化，用於生產下一代，甚至下兩代的產品？這關係到我們戰略窗口期的長短！」

這個問題，張汝寧已經等待了很久。

「跟剛才那張表上的情況一樣，業界宣傳的『5nm』、『3nm』這些節點名稱，仍然是製程疊代的代稱，跟實際的最小物理特徵尺寸並非嚴格的一一對應關係。」

他解釋道：

「所謂『5nm』節點實際對應的特徵尺寸，業界預估會在25nm左右，至於『3nm』，則可能對應到15-18nm區間。」

張汝寧隔著面罩整理了一下護目鏡，繼續深入技術本質：

「對於25nm的特徵尺寸，ArF-1800仍然可以通過雙重曝光技術實現，就是良品率會比單次曝光生產30nm級別的產品時有所下降，工藝整合的複雜度也會提升，不過技術路徑是確定存在的。」

儘管隔著面罩，但眾人還是能感覺到，欒文杰原本皺著的眉頭舒展開來。

而張汝寧語氣卻變得慎重起來：

「至於20nm以下級別的特徵尺寸，將是另一個維度的挑戰……實際上，隨著晶片製程逼近矽材料的物理極限，量子隧穿效應將變得無法忽視，電晶體將難以有效關斷，漏電流劇增，同時微觀層面的不確定性會急劇放大，導致器件性能的波動性大幅增加。」

「一般認為這個臨界尺寸會在10nm左右，但考慮到衍射極限的存在，以及任何工業產品都不可能做到真正意義上的完美無缺，就算是使用EUV光刻機，要想穩定量產特徵尺寸在20nm以下的產品，也會非常非常困難，而且良率會不可控制的降低。」

隨後，他做了一個總結性的判斷：

「我個人認為，隨著邊界效應的遞增，未來晶片性能提升的主要驅動力，將從過去單純依賴製程微縮，轉向更依賴於晶片架構創新、先進封裝技術、還有底層驅動軟體和算法的深度優化……」

張汝寧坦誠地攤了攤手：

「只不過，這後面幾項，就不是我們搞光學的人能專精的了。」

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