第3314章 全球SPIE微光刻會議（2/2）

就在幾天前的全球IT做出研發報告157nm浸沒實驗的結果。

「在去離子水（純化水）狀態下的浸沒實驗，157nmDUV依然有著在純氮環境下的諸多問題無法解決。然而對於193nm的曝光是足夠透明的，在193nm浸沒的情況下157nm問題常見的普遍困難都不存在，幾乎等同於現今處於乾式介質中193nm步進式光刻機效果。」

MIT的這份報告，讓現場與會的全球微影領域的頂尖大拿們紛紛失望不已，也就是在這個報告出來了以後，這幾天世界微光刻領域對浸沒式光刻技術紛紛發表了類似於『至少現今技術還不成熟』的觀點。

這個觀點，有著這些微光刻領域專家們的真實的想法，更有著Nikon和Canon為了能繼續保持在這個領域的權威和壟斷，以及已經砸進去幾十億美元的遊說和新聞引導。

在這個會議上，林博士也參加了這場會議，會議的主持方要求他發言『浸潤式微影技術』。

「由於NA已經大於9，並且隨著NA的進一步增加而回報遞減，浸沒式光刻可能是額外節點的關鍵。浸沒式光刻的關鍵是具有在光學波長中具有足夠的透射性，並且對透鏡和抗蝕劑表面是惰性的。開始研究浸沒流體是相對便宜的。一旦確定了流體，就必須解決許多問題；即，抗蝕劑的脫氣，曝光或掃描過程中流體折射率的不均勻、流體的摩擦導致的掃描速度減慢，以及潮濕環境的混亂。——」

這時候趙長安手裡面拿的一份文件，就是在這次全球SPIE微光刻會議上，各個專家級權威的發言。

其中他看了林博士的發言的時間最長，對於別的專家的發言，基本上都是快速的瀏覽。

對於趙長安前一世這個會議上林博士的發言，趙長安沒有看到過，因為那個時候他怎麼可能對這種枯燥的技術發言感興趣。

而現在他則是翻來覆去的看這篇很短的發言，看了半天，感覺他好像啥都沒有說。

其實在這個會議上，真正最具備含金量的在趙長安看來，是MIT研發報告裡面提到的那句『在193nm浸沒的情況下157nm問題常見的普遍困難都不存在，幾乎等同於現今處於乾式介質中193nm步進式光刻機效果。』

這句話裡面暗含著一個重大的，如同窗戶紙一樣，卻直到03年7月才開始被國半導體製造技術聯盟，成員包括m國防部、能源部、國家實驗室、國家科學委員會、國家標準及技術院、MIT，得州大學，AL，——）捅破。

就是既然193nm在浸沒式液體之中既然依然是那麼的穩定，為什麼一定要使用難題很多的157nm作為浸沒式光源，為什麼就不能依然用193nm。

而現在所有人都這麼認為，既然193nm在乾式介質就已經很穩定，為什麼要脫了褲子放屁，要把它放在液態流體之中多此一舉？

這裡面唯一所欠缺的一個幾乎這些技術人員都知道的常識要素，沒有被他們考慮進去，就是液體和乾式介質之間，不同的折射率。

實際上在趙長安的前一世，林博士在自傳中說到，他在不久前的SPIE微光刻，發表了很具有重量級的發言。

「我在研討會發表用水配合193納米，能比乾式的157納米多增進一世代，而且比後者容易開發。結果全場轟動。我演講後，所有交談的時間大家都在討論這個題目。」

實際上，似乎真的沒有這個事實，因為他的發言人家留有錄音，這個可真是做不得假。