第253章 最大的難點（1/2）

光刻機的製造難度主要在於三大關鍵設備：光源、雙工件台、光刻機鏡頭。

光源方面，毫無疑問Z國的世界最強的那個，這個結論從雷射武器Z國明顯領先M國便能得出。

一個小小的光刻機光源，完全難不倒Z國的科研人員。

雙工件台就不太容易了，據說ASML研發的基於磁懸浮平面電機的雙工件台產品，其掩模台的運動控制精度做到了2納米，大大提升了晶片加工的精度和效率。

如此先進的雙工件台，外國專家曾傲慢地說：「全世界沒有第二家機構能做出來。」

然而僅僅過去五年不到，Z國菁華大學的一個科研團隊，研製的運動精度控制在2納米左右的雙工件台，成功通過了整機驗收。

關鍵技術指標達到了國際同類光刻機雙工件台技術水平。

雙工件台也被Z國人攻克了。

最後就是光刻機鏡頭，近些年Z國光學鏡頭領域進步飛速，甚至有家民用衛星公司製造的光學衛星，解析度都達到了1米、0.5米，地面的航母、軍艦、車輛一覽無餘，甚至可以拍攝正在起飛的飛機，拍攝火箭發射畫面，清晰度令人吃驚。

民用光學衛星的表現已如此誇張，軍用當然更不得了。

這反映出的，是Z國在光學鏡頭領域的進步。

光刻機鏡頭自然也難不倒Z國的科研人員。

所以光源、雙工件台、光刻機鏡頭這三大用於製造光刻機的核心設備，Z國已全部掌握。

這正是ASML公司放開對Z國光刻機銷售的原因……嚴厲的封鎖，光刻機領域，只會導致Z國以更快的速度取得突破。

兔子被逼急了，會要你的命。

而Z國的光刻機至今沒有趕上國外最先進水平，一方面是市場份額被人牢牢把控；其次走相同的技術路線，會不可避免地會侵犯到ASML的智慧財產權，引發專利官司。

再加上一些關鍵設備的禁售。

國產的光刻機發展始終不溫不火。

即便如此，為了繞開國外的專利壁壘，Z科院光電所另闢蹊徑，研製了一款全新的光刻機——

超分辨納米光刻機。

這種光刻機採用了與傳統光刻設備完全不同的技術路線，採用365納米波長的近紫外光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米，結合多重曝光技術後，可用於製造10~9納米級別的晶片。

而這款光刻設備，使用的是波長更長、更普通的紫外光，在普通環境下便能完成光刻，意味著國產光刻機使用低成本光源，實現了更高分辨力的光刻。

製造成本只有ASML公司光刻機的幾分之一，乃至十幾分之一。

技術原理層面的突破，更是相當於別人在開山修路的時候，你打通了一條隧道。

不過超分辨納米光刻機雖好，卻也存在一個較為嚴重的缺陷。

那就是曝光時間過長。

尤其實在晶片領域，EUV光刻機曝光15秒便能完成的任務，超分辨光刻機需要十多天。

更加形象的比喻是，傳統光刻機是直接拍出一張照片，超分辨光刻則是拿一支筆，慢慢畫出一張圖片……效率差別巨大。

……

本章未完，點選下一頁繼續閱讀。