第300章 晶片試生產和流片（3/4）（2/2）

第二天一大早，葉子書、武超強和任正非，以及一幫高級研發人員，都來到了晶片生產工廠，今天是試生產的日子，同時也是青龍科技公司晶片流片的日子。

由於這次是試生產，玄武科技公司沒有向青龍科技公司要流片費用，如果失敗了，成本只能自己承擔。

一幫人穿著防塵服進入工廠裡面，葉子書直接去了總控制台那邊，將青龍科技公司設計出來的各種通信晶片設計方案導入到系統裡面。

然後安排晶片生產計劃，安排好之後，總控制台就可以根據計劃，自動切換晶片的製造任務，讓晶片生產可以無縫銜接。

做完這些之後，葉子書來到生產車間，和任正非他們匯合，並且告訴武超強，晶片試生產會在上午9點正式開始。

目前各個崗位的員工正緊張待命，雖然他們能做的事情並不算很多，但是一股緊張氣氛，依然瀰漫在工廠裡面。

這是我國第一座先進的晶片製造工廠，是我國晶片發展的重要里程碑，只要稍微有些常識的人，都知道這次試生產意義有多重大。

倒是葉子書沒有太緊張，因為他在虛擬圖書館裡面模擬了很多次，結果都很理想，不僅沒有失敗，良品率竟然高達98%以上，接近99%。

這樣的良品率就足夠吊打很多晶片製造生產線，良品率的提高，除了設備先進之外，減少外物的干擾也是重中之重。

時間悄然來到上午九點，生產線上的各種設備從待機狀態陸續進入工作狀態。

等到所有機器都處於工作狀態的時候，工人將晶圓投入到濕洗設備裡面，開始自動用各種試劑保證晶圓表面沒有任何雜質。

這個環節過後，晶圓自動被送入到光刻環節，晶圓在這個過程中，不以任何設備發生接觸，晶圓處於磁懸浮托盤當中。

然後在懸浮狀態進行光刻，一張晶圓的光刻速度只需要12秒，速度是非常快的，光刻完之後，就自動被送入到離子注入設備當中。

後面經過干蝕刻、濕蝕刻、等離子沖洗、熱處理（包括快速退火、退火、熱氧化）、化學氣相沉澱、物理氣相沉澱、分子束外延、電鍍處理、化學/機械錶面處理。

到這一步算是接觸了晶圓測試之前的所有環節，晶圓測試之後，就進入晶圓打磨環節，之後就可以出廠了。

雖然環節說起來簡單，但是一片晶圓要完成所有的環節，絕不是一天時間能夠完成的，一般需要30天左右。

葉子書設計的晶片生產線，由於工藝流程做過優化，各種設備也是高度自動化，依然需要20天時間。

所以流片的時候，葉子書安排每種通信晶片只製造10片晶圓，然後自動切換到下一種晶片的製造。

這樣等到20天之後，就可以知道各種晶片的流片結果，流片通過就意味著晶片設計沒有任何問題，可以進入正式生產階段。

同時也可以得出晶片生產線的良品率是多少，不過他已經在虛擬實驗室做過測試，對此不是很擔心。

在晶片生產工廠又待了一天時間，出來之後，葉子書對武超強說道：「目前來看，運行非常良好，你們繼續盯著，我就不再繼續將時間耗在這裡了。」

葉子書時間比較寶貴，不可能花費20天時間，一直耗在這邊等結果，完全沒有必要，所以準備明天就直接飛回首都。

一旁的任正非也跟著說道：「明天我也跟著你回去吧，這裡就麻煩武總以及各位工程師了。」