第478章 真假1微米（1）（2/2）

「你們說的都對，又都不對。」

「怎麼講？」

「晶圓廠要上，但也要考慮現實情況，空喊口號是沒有用的。我們畢竟沒有積累。

但同時，我們的目標也要實現，錢不能白花！如果只是上2微米的晶圓廠，根本沒有意義。」

「咦？你這是啥意思？兩面的話都讓你說全了！」

兩位老鄉同學，都覺得自己的耳朵出了問題。

「這次我準備，用2微米的半導體設備及工藝，來生產1微米的晶片！」

...

「這怎麼可能？」

「我就知道你腦袋裡肯定有東西。」

兩個不同性格的人，在沉思片刻後，發出了完全不同的感嘆。

「你不是在開玩笑吧。如果真有這種技術，為什麼全球這麼多企業每年投入這麼金錢，去改進他們的工藝流程，提高生產設備的精度？908工程是在幹什麼？」

葉靜生性比較保守，看事情更多的是看風險。

「這個技術是有的。這也是為什麼這個工程被叫做一號工程的緣故。它的保密級別甚至高於液晶的ODF工藝。」

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「好吧，你說吧。我們準備好了。」

這已經不是第一次了，成永興召集兩人商量一些高度機密性的科技信息。

經過MEMS，LED，以及LCD的不斷洗禮，兩個人對晶圓工藝已經不陌生了。

在後世，人們一提起半導體設備，被津津樂道的，就是光刻機。大家普遍認為，光刻機是中國在半導體工藝上落後的唯一瓶頸。

這句話對，也不對。

對，是因為，中國在半導體工藝領域，被甩得最遠的代表設備就是光刻機。

其他設備，例如蝕刻設備等，它們與國際先進水平，即使有些差距，差距也沒有這麼大，甚至某些設備，國產設備已經開始反攻國際市場。

光刻機決定半導體製程的情況，僅僅是出現在2005年之後。這就是地球人都知道的，ASML的天王山之戰。

ASML在浸入式光刻機上，打了場翻身仗，一舉把日本的幾家競爭對手掀翻在地，從而奠定了在光刻機市場的壟斷地位。

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但實際上，在2005年的前後，決定半導體晶片製程的幾個核心技術，都不是光刻機。因為此時，光波的波長，還沒有撞到極限（193 nm）.

中國已經有了1.5微米的光刻機，但是其他輔助工藝，達不到這麼高的精度。

幾十年來，對光刻設備的要求主要基於摩爾定律，通過減小波長和增大數值孔徑（NA）來獲得更高解析度。

但是雷射的可用波長就那麼幾個，雷射波長減少幾次，就無以為繼了。

2004年開始，光刻機就開始使用193nm波長的DUV雷射，誰也沒想到，光刻光源被卡在193nm無法進步長達十幾年。

哪怕採用了沉浸式光刻機，也僅僅是使晶圓工藝成功突破了幾個節點。

過了一段時間，半導體工藝的工藝演進路線，再次遇到了類似的問題。後世的14nm，10nm，7nm的技術突破。都不是通過升級光刻機來實現的。

在光刻機無法升級的情況下，為了突破這個障礙，人們開始尋找別的突圍方向。

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隨著科學家們的腦洞大開，一個行之有效的方法，真的被找到了！

更為可喜的是，這個方法思路非常簡單，而且特別適合這個時代。

在完全在不改變設備技術水平的情況下，可以提高晶圓的製程！

之所以這個方法沒有被廣泛宣傳，是因為所有的晶圓廠都在使用。大家都在用的技術，自然就失去了神秘性和趣味性。

燈下黑，指的就是這種情況。